IRF640特点

晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:18A
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):0.15ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:4V
功耗:150W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:150W

封装类型:TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:1°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:200V
电流, Id 连续:18A
电流, Idm 脉冲:72A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最高:4V

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