现货供应埸效应管IRF3205 mosfet mos
IRF3205概述
IR的HEXFET功率场效应管IRF3205采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF3205得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF3205适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。TO-262是IRF3205的通孔安装版，适合较低端的应用。 | | IRF3205参数 | | IRF3205基本参数 | | VDSS | | 55 V | | ID@25℃ | | 98 A | | RDS(on)Max | | 8.0 mΩ | | IRF3205其他特性 | | FET极性 | | N型沟道 | | Qg Typ | | 97.3 nC | | IRF3205封装与引脚 | | TO-220AB, TO-263, TO-262 |
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IRF3205特性
- 先进的工艺技术
- 贴片安装（IRF3205S）
- 低端通孔安装（IRF3205L）
- 超低导通阻抗
- 动态dv/dt率
- 175℃工作温度
- 快速转换速率
- 无铅环保
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时先生13828885586
