Part Number（编码）Chip（晶片）
Material（材料）Emitting（颜色）入P(nm)GaN/GaNWHITE
Parameter（参数）SymbolMINTYPMAXUNITTEST CONDITIONForward Voltage（顺向电压）VF3．0/3．4VIf=20mADomi Wavelength（主波长）λd
nm Reverse Current（反向电流）IR
10μAVR=5VPower dissipation（消耗功率）Pd 170 mW Luminous Intensity（发光强度）IV2500/3500mcdIf=20mAPeak Forward Current（顺向电流峰值）If(Peak)
100mA Recommend Forward Current（顺向电流）If(Rec) 20 mA Electrostatic  Discharge（静电释放）ESD 2000 V 1.BSOLUTE  MAXIMUM  RATINGS：（Ta=25℃）2.OPERATING TEMPERATURE：—40℃TO80℃ (操作温度)3.LEAD SOLDERING：260℃FOR 5 SECONDS（焊接条件） 
4. 储存条件:25℃以下60%湿度以下.