外壳材料:1.8寸塑料+金属外壳; 主控:SM2235;NAND闪存:三星MLC-NAND Flash;性能:ZIF读速度93MB/S,写速度54MB/S; 物理尺寸:71.1mm*54.1mm*5.0mm; |
容量:8GB 16GB 32GB 64GB 128GB 接 口: | ZIF | 闪存类型: | MLC-NAND Flash | 容量(GB): | 8GB 16GB 32GB 64GB 128GB | 产品描述: | 启动速度快,平均数据存取时间只需0.2ms,连续读写速度快,同时具备低功耗、抗震动、耐冲击、低热量、轻便快捷等特点。广泛应用于笔记本、台式机、UMPC、数码产品等民用领域。 |
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产品规格
项目 | 类别 | KSD-ZF18.1-XXXMS |
概述 | 外形尺寸 | 1.8" |
接口 | ZIF2 |
性能 | 容量 | 8GB(2C) | 16GB(4C) | 32GB(4C) | 64GB(4C) | 128GB(4C) |
连续读 | 50MB/S | 93MB/S | 93MB/S | 93MB/S | 93MB/S |
连续写 | 19MB/S | 38MB/S | 54MB/S | 54MB/S | 54MB/S |
随机每秒输入输出次数 | 5,585 |
平均存取时间 | 0.2ms |
存储介质 | NAND闪存 | MLC-NAND Flash |
功耗 | 输入电压 | 3.3V |
空闲 | 0.5W |
工作 | 1.5W |
可靠性与稳定性 | 写寿命 | 每天写100GB资料可以用8年以上 |
读寿命 | 无限 |
均衡抹除算法 | 动态与静态的平衡抹除算法 |
数据保存 | 在25度下可以存放10年 |
MTBF | 100万小时 |
ECC(错误检查与纠错) | 每512Byte有8位纠错码 |
坏块管理 | 系统自动坏块管理 |
环境 | 工作温度 | 0~70℃ |
存放温度 | -40~85℃ |
冲击 | 2,000G(@0.3ms half sine wave) |
振动 | 20G(40-2000HZ) |
环境湿度 | 5-95% |
保修时间 | 2years |
量产状况 | 已量产 | NO EOL(无停产计划) |
测试平台 | AMD Athlon 64 3000+ 1.8GHz,DDR2 PC2-5300 512MB×2pcs double channel.RAM,NVIDIA nForce520 chipset,Microsoft Windows XP Professional SP3 |
测试软件 | HDBench3.4.0.3, IOMeter 2006.07.27 |
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物理尺寸与重量 | 厚度(mm) | 5.0+/_0.25 |
宽度(mm) | 54.1+/_0.25 |
长度(mm) | 71.1+/_0.25 |
重量(g) | 40 |
应用范围:
笔记本电脑及电脑,游戏及多媒体电脑,移动互联网设备(MID),如个人媒体播放器,PDA和智能手机;企业计算;通信设备/网络,汽车, Mediacal设备,嵌入式/工业。
产品相册
应用领域
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