外壳材料:黑色金属外壳;主控:JMF602;NAND闪存:三星SLC-NAND Flash; 容量:8GB-256GB;性能:SATA读速度143MB/S,USB读速度35MB/S; SATA写速度:130MB/S,USB写速度25MB/S; 物理尺寸:100.2mm*69.8mm*9.5mm; |
容量:8GB 16GB 32GB 64GB 128GB 接 口: | SATAⅡ+USB2.0 | 闪存类型: | SLC-NAND Flash | 容量(GB): | 8GB 16GB 32GB 64GB | 产品描述: | 启动速度快,平均数据存取时间只需0.2ms,连续读写速度快,同时具备低功耗、抗震动、耐冲击、低热量、轻便快捷等特点。广泛应用于笔记本、台式机、UMPC、数码产品等民用领域。 |
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产品规格
项目 | 类别 | KSD-SU25.1-XXXSJ |
概述 | 外形尺寸 | 2.5" |
接口 | SATAⅡ+USB2.0 |
性能 | 容量 | 16GB(4C) | 16GB(8C) | 32GB(8C) | 64GB(8C) |
SATA连续读 | 101MB/S | 131MB/S | 140MB/S | 143MB/S |
SATA连续写 | 98MB/S | 102MB/S | 128MB/S | 130MB/S |
USB连续读 | 35MB/S | 35MB/S | 35MB/S | 35MB/S |
USB连续写 | 25MB/S | 25MB/S | 25MB/S | 25MB/S |
随机每秒输入输出次数 | 5,699 |
平均存取时间 | 0.2ms |
存储介质 | NAND闪存 | SLC-NAND Flash |
功耗 | 输入电压 | 5V+/_5% |
空闲 | 0.5W |
工作 | 1.5W |
可靠性与稳定性 | 写寿命 | 每天写100GB资料可以用80年 |
读寿命 | 无限 |
均衡抹除算法 | 动态与静态的平衡抹除算法 |
数据保存 | 在25度下可以存放10年 |
平均故障间隔时间 | 100万小时 |
错误检查与纠错 | 每512Byte有8位或15位纠错码 |
坏块管理 | 系统自动坏块管理 |
环境 | 工作温度 | 0~70℃ |
存放温度 | -40~85℃ |
冲击 | 2,000G(@0.3ms half sine wave) |
振动 | 20G(40-2000HZ) |
环境湿度 | 5-95% |
保修时间 | 3years |
量产状况 | 已量产 | NO EOL(无停产计划) |
测试平台 | AMD Athlon 64 3000+ 1.8GHz,DDR2 PC2-5300 512MB×2pcs double channel RAM,NVIDIA nForce520 chipset,Microsoft Windows XP Professional SP3 |
测试软件 | HDBench3.4.0.3, IOMeter 2006.07.27 |
物理尺寸与重量 | 厚度(mm) | 9.5+/_0.25 |
宽度(mm) | 69.8+/_0.25 |
长度(mm) | 100.2+/_0.25 |
重量(g) | 100 |
应用范围:
笔记本电脑及电脑,游戏及多媒体电脑,移动互联网设备(MID),如个人媒体播放器,PDA和智能手机;企业计算;通信设备/网络,汽车, Mediacal设备,嵌入式/工业。
产品相册
![](http://i01.c.aliimg.com/img/ibank/2011/643/030/299030346_1399323393.jpg)
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应用领域
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