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IXFH21N50全新现货IXYS代理IXFH21N50功率MOSFET 封装

零件编号：IXFH21N50
描述：高压Q -级HiPerFETs（高达1200V）
配置：单
封装形式：TO - 247

特点
•国际标准封装
•低RDS（ON）HDMOSTM过程
•坚固的多晶硅栅单元结构
•非钳位感应开关（UIS）
额定
•低封装电感
- 易于驾驶和保护
•快速内在整流器
应用
•DC - DC转换器
•同步整流
•电池充电器
•开关模式和谐振模式
电源供应器
•直流斩波器
•AC电机控制
•温度和照明控制
•低电压继电器
优势
•易于安装螺钉1（TO - 247）
（独立安装螺丝孔）
•高功率表面贴装封装
•高功率密度

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