規格書IRF830PBF
產品相片TO-220AB PKG
產品目錄繪圖IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2
標準包裝1,000類別離散半導體產品家庭MOSFET，GaNFET - 單系列-FET型MOSFET N通道，金屬氧化物
FET特點標準
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C1.5 歐姆 @ 2.7A, 10V
漏極至源極的電壓(Vdss)500V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C4.5A
Id時的Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
閘電流(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
Vds時的輸入電容(Ciss)610pF @ 25V
功率 - 最大74W
安裝類型通孔
封裝/外殼TO-220-3
封裝管裝
供應商設備封裝*