陶瓷电容器的特点　

1. 温度补偿型:  温度补偿型圆片瓷介电容器主要是由氧化钛组成,特点是具有较低的介电常数,损耗低,高稳定性,电容量随温度改变呈线性变化,适用于谐振回路和需要补偿温度效应的高稳定性的电路中.

2. 高电介质常数型:  高电介质常数型圆片瓷介电容器主要是以钛酸负钡为苦基而制成,其特点是介电常数高,容量大,损耗低,体积小,适用于旁路、耦合、隔直流和滤波等电路中.

3. 半导体型:  半导体型圆片瓷介电容器的陶瓷芯片属于表面层半导体结构,有表面和晶界层之分,其电容器具有大容量、小体积等特点,适用于滤波、旁路、耦合等电路中.

低压瓷片电容的规格：1P，2P，3P，4P，5P，6P，8P，10P，12P，15P，18P，20P，22P，27P，33P，36P，39P，47P，56P，68P，82P，100P，120P，150P，180P，200P，220P，270P，330P，360P，390P，430P，470P，560P，680P，820P，102/50V，152/50V，182/50V，222/50V，272/50V，332/50V，392/50V，432/50V，472/50V，562/50V，682/50V，752/50V，822/50V，912/50V，103/50V，153/50V，183/50V，223/50V，273/50V，333/50V，393/50V，433/50V，473/50V，563/50V，683/50V，753/50V，823/50V，913/50V，104/50V，224/50V，334/50V，394/50V，474/50V，684/50V，105/50V