K2611 场效应管
沈阳电子市场先科电子商店
沈阳市沈河区万柳塘路56号南塔电子市场3楼96号
产品属性
图文详情
品牌推荐
品牌/型号
TOS日本东芝/K2611
材料
GE-N-FET锗N沟道
开启电压
900（V）
夹断电压
900（V）
跨导
1（μS）
极间电容
1（pF）
低频噪声系数
1（dB）
最大漏极电流
9（mA）
最大耗散功率
150（mW）
种类
绝缘栅MOSFET
沟道类型
N沟道
导电方式
耗尽型
封装外形
CER-DIP/陶瓷直插
用途
HI-REL/高可靠性
