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SSF2N60产品参数:
型号:SSF2N60
封装:TO-220
主要参数: 2A/600V,RDS(on)=4.7Ω(VGS=10V,ID=1.0A)
应用领域: 节能灯、充电器、开关电源、LCD显示器、电子镇流器
产品功能: 功率MOSEFT—2N60 2A,600V N沟道2N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性,如极快 的开关速度,极低栅电荷,最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源,DC/DC转换器,PWM马达控制和桥式驱动电路等。
1、特征 · 2A,600V, RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V;· 极低栅电荷,典型9nC;
·极低反向转换电容;典型5pF · 快速开关能力; · 增强的dV/di能力;
· 100%雪崩击穿测试;· 封装型式:TO-220,TO-220F,TO-251,TO-252
· 最大结温 150 ℃
产品图片:

优势产品有SSF2N60、SSF5N60、SSF8N60、SSF10N60 SSF12N60、SPP20N60C3、CR6224T、CR6224S、CR6228T、CR6229T、CR6235S、CR6236T、CR6238T、CR6850S、CR6850T、PR9853T、PR9853S、PR8275、MBR10100、MBR10200、MBR10150、MBR20100、MBR20150、MBR20200、MBR30100、MBR30150、MBR30200.等。
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