功率MOSEFT—2N60     2A，600V  N沟道 

       2N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快
的开关速度，极低栅电荷，最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。

这种器件非常适合于高效开关电源，
DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。             

 1、特征                        

 · 2A，600V， RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V；                                                         

 · 极低栅电荷，典型9nC； 

 ·极低反向转换电容；典型5pF 

 · 快速开关能力；            

 · 增强的dV/di能力； 

 · 100%雪崩击穿测试；                                         

 · 封装型式：TO-220，TO-220F，TO-251，TO-252 

 · 最大结温 150 ℃