IR IRF7342TRPBF原装现货场效应管,原装现货。
数据列表
IRF7342PbF
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产品相片
8-SOIC
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产品目录绘图
IR Hexfet 8-SOIC
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标准包装
| 4,000 |
类别
| 分离式半导体产品 |
家庭
| FET - 阵列 |
系列
| HEXFET® |
FET 型
| 2 个 P 沟道(双) |
FET 特点
| 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss)
| 55V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
| 3.4A |
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C
| 105 毫欧 @ 3.4A,10V |
Id 时的 Vgs(th)()
| 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs
| 38nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds
| 690pF @ 25V |
功率 -
| 2W |
安装类型
| 表面贴装 |
封装/外壳
| 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装
| 8-SO |
包装
| 带卷 (TR) |
产品目录页面
1521 (CN2011-ZH PDF)
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其它名称
IRF7342PBFTR
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