IR IRLML6302TRPBF原装现货场效应管，优势库存热卖

数据列表 产品相片 产品目录绘图 标准包装 类别 家庭 系列 FET 型 FET 特点 漏极至源极电压(Vdss) 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C Id 时的 Vgs(th)（） 闸电荷(Qg) @ Vgs 输入电容 (Ciss) @ Vds 功率 - 安装类型 封装/外壳 供应商设备封装 包装 产品目录页面 其它名称

IRLML6302PbF

SOT-23

IR Hexfet Micro-3, SOT-23

3,000

分离式半导体产品

FET - 单

HEXFET®

MOSFET P 通道，金属氧化物

逻辑电平门

20V

780mA

600 毫欧 @ 610mA，4.5V

1.5V @ 250µA

3.6nC @ 4.45V

97pF @ 15V

540mW

表面贴装

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

Micro3™/SOT-23

带卷 (TR)

1520 (CN2011-ZH PDF)

IRLML6302PBFTR