代理美国万代AO9926B原装现货场效应管,优势库存。联系人:邓小姐13428793437,QQ:154544606.
数据列表AO9926B
|
产品相片8-SOIC
|
其它图纸AO4xxx Series 8-SOIC Top AO4xxx Series 8-SOIC End AO4xxx Series 8-SOIC Side
|
标准包装
3,000 |
类别| 分立半导体产品 |
家庭| FET - 阵列 |
系列| - |
包装
带卷 (TR) |
FET 类型| 2 个 N 沟道(双) |
FET 功能| 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss)| 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)| 7.6A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)| 23 毫欧 @ 7.6A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)| 1.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)| 12.5nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)| 630pF @ 15V |
功率 - 最大值| 2W |
安装类型| 表面贴装 |
封装/外壳| 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装| 8-SOIC |