主要参数：　　晶体管类型 ： P沟道MOSFET 　　功耗PD ：
1.25W 　　栅极门限电压VGS ：
2.5V（典型值） 　　漏源电压VDS ：－20V（极限值） 　　漏极电流ID：TA=25°时：-2.3A，TA=70°时：-1.5A 　　通态电阻RDS(on）：
0.145ohm（典型值） 　　栅极漏电流IGSS：±100nA 　　结温：55℃to+150℃ 　　封装：SOT-23(TO-236)