数据列表 IRF630N(S,L)
产品相片 TO-263
产品目录绘图 IR Hexfet D2PAK

标准包装 800 

类别 分离式半导体产品 

家庭 FET - 单 

系列 HEXFET® FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 300 毫欧 @ 5.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 575pF @ 25V
功率 - 最大 82W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK

包装 带卷 (TR)

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ASCO深圳智其伟业电子有限公司 

公司主营仙童，IR，东芝,富士品牌IC

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