数据列表 IRF640N
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
标准包装 50

 类别 分离式半导体产品 

家庭 FET - 单 

系列 HEXFET® FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 150 毫欧 @ 11A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 67nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1160pF @ 25V
功率 - 最大 150W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件

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ASCO深圳智其伟业电子有限公司 

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