供应10 30UF 1200VDC高压IGBT滤波、保护电容器
品牌/型号
10 30UF 1200VDC滤波电容器
| 品牌：DAWN |
型号：IGBT |
介质材料：有机薄膜 |
| 应用范围：高压 |
外形：方块状 |
功率特性：大功率 |
| 频率特性：高频 |
调节方式：固定 |
引线类型：径向引出线 |
| 允许偏差：±10（%） |
耐压值：3000（V） |
等效串联电阻(ESR)：0（mΩ） |
| 标称容量：10-30（uF） |
损耗：0 |
额定电压：1200（V） |
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高频高压IGBT 保护电容器
产品介绍
缓冲保护电路电容器应用于脉冲线路,使用双面金属化电极,强化喷金接触和内部串联连接结构. |
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·脉冲保护结构 |
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·具有自愈性能 |
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·使用内部串联联接 |
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·极低损耗因素和等效串联电阻 |
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·极高的额定电流承载能力 |
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·极高的DV/DT值 |
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·温度变化对容量影响小 |
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应用于要求非常高可靠性能的高脉冲和高频率电路 |
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·应用于IGBT模块电路
资料
IGBT用突波缓冲吸收电容器
产品描述
执行标准 GB/T 17702.1 idt IEC 61071-1, GG/T 2693 idt IEC 60384-1
金属化聚丙烯膜无感卷绕而成
具有立式和卧式二种安装形式，引出端子直接连接于IGBT模块，最大限度减小回路电感量
具有低的ESR和高的dv/dt特性
可承受很大的峰-峰值电流IPP和高频有效值电流Irms
可提供满足各类IGBT/IGCT等电力电子功率器件所需的系列化产品
●工艺特点
采用双面金属化膜做电极，以提供dv/dt特性
可提供内置快恢复管的模块化器件
●典型应用
适用于各种规格的IGBT IGCT 和GTO等电力电子功率器件的缓冲吸收保护
●性能指标
| 温度范围(与工作电流有关) |
-40~+85/105℃ |
| 电容量范围 （可根据客户要求定制） |
0.1~5.6μF |
| 电容量偏差△C/C |
J:±5% K:±10% |
| 额定工作电压Un（可根据客户要求定制） |
700~25000Vdc |
| 端子间电压Utt |
1.6Un(60s) |
| 端子与外壳间电压 Utc |
3000Vac(50/60Hz 60s) |
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外形尺寸（塑壳）
我司专业生产工业电容，谐振电容，吸收电容，直流支撑滤电容器，安规电容，CBB电容！
20uf800v 30uf800v 50uf800v 0.44uf2500v 0.47uf2500v 1.5uf1200v 30uf1200v 20uf 1200v
470uf 800v 100uf630v 1100uf900v 0.15uf1200v 0.47uf1200v 0.075uf4kv 2uf1600v 1uf3000v 0.08uf3000v 1uf2500v 2*0.6uf3000v 0.36uf1600v 0.4uf3000v 2*28uf2000v 0.3uf1600v 1.2uf1200v 3uf1600v 2uf10000v网址：www.dawn-cap.cn QQ：2606953645 欢迎致电:075523031358，13172478401 传真：0755-27044610 黄'R 深圳市天明伟业电子有限公司
