EM78P372N
EM78P372N 是 8 位微处理器设计和开发具有低功耗、 高速 CMOS 技术。该设备具有芯片 2K?13 位电气一个时间可编程只读存储器 (OTP ROM)。它提供了有点保护以防止入侵用户的 OTP 内存代码。三个代码选项位也可用来满足用户的要求。
与 OTP ROM 功能增强，EM78P372N 提供了开发和验证用户的程序的一种简便方法。此外，此 OTP 设备提供方便和有效的程序更新，使用开发和编程的工具的优势。用户可以利用 ELAN 作家轻松编写程序他开发代码。
功能CPU 配置2Kx13 位芯片上 ROM80 x 8 位芯片寄存器 (SRAM #8 级的子程序嵌套堆栈4 可编程一级电压探测器 #LVD）： 4.5 v、 4.0 v、 3.3 v、 2.2 v3 可编程级电压复位 (LVR): 4.0 v、 3.5V、 2.7 v不少于 1.5 马在 5V / 4 MHz通常 15 μ A，在 3V / 32 千赫通常 2 μ A，在睡眠模式中输入/输出端口配置3 双向 I/O 端口： P5 P6，P718 I/O 针脚 & 1I 针唤醒端口： P58 个可编程下拉菜单 I/O 引脚16 可编程拉高 I/O 针脚8 个可编程开路 I/O 引脚14 个可编程高接收器当前 I/O 针脚外部 interrupt：P60运行电压和温度范围：2.1V ~ 5.5 v 在 0 ° C ~ 70 ° C （商业 #2.3V ~ 5.5 v 在-40 ° C ~ 85 ° C# 工业 #操作模式：水晶模式：直流 ~ 16 MHz、 4.5 v ；直流 ~ 8 MHz、 3V ；直流 ~ 4 MHz、 2.1V紧急救济协调员模式：直流 ~ 2 MHz，2.1V ；IRC 模式：振荡模式： 16 MHz、 4 兆赫、 1 兆赫、 8 MHz内部 RC FrequencyDrift 率Temperature#-40 ° C ~ 85 ° C） 电压 （2.1V ~ 5.5 v) ProcessTotal4 MHz±2%± 1%± 2%± 5 %16 MHz±2%± 1%± 2%± 5 %8 MHz±2%± 1%± 2%± 5 %1 kHz±2%± 1%± 2%± 5 %
振动模式：快速设置时间需要仅 0.8ms年 (VDD： 5V 水晶： 4 MHz、 C1/C2: 15pF # XT 模式和 IRC 模式 #VDD 10?s： 5V、 IRC： 4 MHz #八个中断源： 三个外部和内部的五个：TCC 溢出中断输入端口的状态更改中断 #wake 从睡眠模式 #外部中断香港艺术发展局完成中断比较器状态更改中断低电压检测 #LVD) 中断PWM1 ~ 2 期匹配的中断PWM1 ~ 2 责任比赛中断封装类型：10 针功能 118mil: EM78P372NMS10J/S10 针 SSOP 150mil: EM78P372NSS10J/S14 针 DIP 300mil: EM78P372ND14J/S14 针 SOP 150mil: EM78P372NSO14J/S16 针 SOP 150mil: EM78P372NSO16AJ/S18 针 DIP 300mil: EM78P372ND18J/S18 针 SOP 300mil: EM78P372NSO18J/S20 针 DIP 300mil: EM78P372ND20J/S20 针 SOP 300mil: EM78P372NSO20J/S20 针 SSOP 209mil: EM78P372NSS20J/S注： 绿色产品不包含有害.substances
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