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IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。BSM200GA120DLC BSM200GA120DLCS
BSM300GA120DLC BSM300GA120DLCS
BSM400GA120DLC BSM400GA120DLCS
BSM600GA120DLC BSM600GA120DLCS
BSM200GA120DN2 BSM200GA120DN2C
BSM200GA120DN2S BSM300GA120DN2
BSM300GA120DN2S BSM400GA120DN2
BSM400GA120DN2S FZ300R12KE3B1G
FZ300R12KE3G FZ400R12KE3
FZ400R12KE3_B1 FZ600R12KE3
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FZ600R12KS4 FZ800R12KS4_B2
FZ800R12KF4 FZ1050R12KF4
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FF400R12KL4C FF600R12KL4C
FF800R12KL4C FF225R12ME4
FF300R12ME4 FF450R12ME4
FF100R12MT4 FF150R12MT4
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