厂商:TOSHIBA
封装:SOP-4
批号:2012+
库存量:99000
标准包装:3000
货期:现货
以下型号可以替代TLP185(GB,TPL,E)
TLP181 | PS2701 | LTV-357 |
TLP185(GB,TPL,E)描述说明
由于使用了S06封装,TLP184 和TLP185晶体管耦合器比前一代产品要轻薄,而且能在高温下正常工作(Ta = 110度 最大值)。
TLP184 和TLP185分别是TLP180 and TLP181的更新产品。 能轻易用这些产品代替现在的这些型号,因为这些产品的参考衰减器尺寸与现在的MFSOP6封装型号的尺寸是一样的。 而且,由于更轻薄,这些产品能将安装高度从先前的2.8毫米,降低到2.3毫米。
因为SO6封装能确保最小的间隙和爬电距离为5毫米,而不是现有型号MFSOP6封装中的4毫米。所以这些产品的最大允许操作隔离电压为 707 Vpk,EN60747-5-2中已明确规定过。 所以,TLP184 和 TLP185能更换DIP封装区域的零件(TLP781,TLP785等)。 而且,这种产品能确保内部绝缘厚度为0.4毫米,而且属于加强绝缘种类,符合国外安全标准。
因为这些产品都达到了UL、cUL、VDE及BSI等国际认证的安全标准,所以他们非常适合AC适配器、开关电源供电及FA设备等电子应用场合。
正向电压 | VF | V | IF=10mA | 1 | 1.15 | 1.3 | 1.1 | 1.25 | 1.4 |
集电极暗电流 | ICEO | μA | VCE=48V | - | 0.01 | 0.1 | - | 0.01 | 0.08 |
集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | V | IC=0.5mA | 80 | - | - | 80 | - | - |
集电极--发射极击穿电压 | V(BR)ECO | V | IE=0.1mA | 7 | - | - | 7 | - | - |
电流传输比 | IC/IF | % | IF=5mA, VCE=5V | 50 | - | 600 | 50 | - | 400 |
饱和CTR | IC/IF(sat) | % | IF=1mA, VCE=0.4V | - | 60 | - | - | 60 | - |
饱和CTR, GB档产品 | 30 | - | - | 30 | - | - | |||
集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | V | IC=2.4mA, IF=8mA | - | - | 0.4 | - | - | 0.3 |
集电极-发射极饱和电压, GB档 | IC=0.2mA, IF=1mA | - | - | 0.4 | - | - | 0.3 | ||
断开的集电极电流 | IC(off) | μA | VF=0.7V, VCE=48V | - | - | 10 | - |
Toshiba品牌简介
东芝在日本东京都的总部大楼东芝(TOSHIBA),是日本最大的半导体制造商,亦是第二大综合电机制造商,隶属于三井集团旗下。东芝原名东京芝浦电气株式会社,1939年由株式会社芝浦制作所和东京电气株式会社合并而成;从1875年开创至今,已经走过了133年的漫长历程。
TLP185(GB,TPL,E)质量保证
TLP185(GB,TPL,E)价格说明
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