数据列表IRF7103PbF
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产品相片8-SOIC
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标准包装| 4,000 |
类别| 分立半导体产品 |
家庭| FET - 阵列 |
系列| HEXFET® |
FET 类型| 2 个 N 沟道（双） |
FET 功能| 标准 |
漏源极电压 (Vdss)| 50V |
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）| 3A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）| 130 毫欧 @ 3A，10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）| 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)| 30nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)| 290pF @ 25V |
功率 - 最大值| 2W |
安装类型| 表面贴装 |
封装/外壳| 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
供应商器件封装| 8-SO |
包装| 带卷 (TR) |
产品目录页面1523 (CN2011-ZH PDF)
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其它名称| IRF7103PBFTR |
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