IGBT、IPM、GTO突波吸收电容,IGBT吸收保护电容、高脉冲电容，MOSFET缓冲吸收电容，高频谐振电容. 产品型号 参数说明 封装形式 STM系列电容量: 0.047 - 10μF ，额定电压: 700 - 3000 Vdc 焊片安装
STC系列电容量: 0.0047 - 5.6μF ，额定电压: 700 - 3000 Vdc 径向外壳
STD系列电容量: 0.0068 -8.5μF ，额定电压: 700 - 3000 Vdc 引线轴向
STS系列电容量: 0.01 - 10μF ， 额定电压: 700 - 3000 Vdc 引线轴向
STF系列电容量: 0.068- 14μF ， 额定电压: 700 - 3000 Vdc 焊片安装
STB系列电容量: 0.001 - 1.5μF，额定电压: 630 - 2000 Vdc 径向外壳 STE系列电容量: 0.01 -9.0μF， 额定电压: 700 - 3000 Vdc 径向外壳 SHA系列电容量: 15 -500μF， 额定电压:500 - 1100 Vdc 圆柱螺旋安装 SHE系列电容量: 50 -1000μF，额定电压:800 - 3200 Vdc圆柱螺旋安装 SCH系列电容量:0.06 -10μF， 额定电压:500 - 3000 Vdc 座式安装 SCD系列电容量: 0.5 -12μF， 额定电压:400 -700 Vdc圆柱螺旋安装 SLA系列电容量:1.0 -300μF， 额定电压: 400 - 1000 Vdc圆柱螺旋安装 STH系列电容量:0.15 -60μF， 额定电压: 250 - 850 Vdc 引线轴向
