该系统为间接PECVD系统,它包括真空管式炉,石英真空室、真空抽气与真空测量系统、气路系统、射频电源系统、匹配器,物料喷射系统。电源范围宽,0-500W可调。 温度范围宽:100-1200度可调,溅射区域宽:0-800mm可调。适用范围宽:金属薄膜,陶瓷薄膜等,复合薄膜,连续生长各种薄膜等。增加功能容易。
主要特点:
薄膜沉积速率高:采用了甚高频技术,大大的提高了薄膜的沉积速率,沉积速率可达10Å/S;
大面积均匀性高:采用了先进的多点射频馈入技术,特殊气路分布和加热技术等,使得薄膜均匀性指标达到8%;
一致性高:用半导体行业的先进设计理念,使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%;
工艺稳定性高:高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定;
选配物料喷射系统,可将原料直接喷射到反应区。
真空管式炉 | 炉管尺寸: | 外径Φ50、60、80、100×1000mm |
极限温度: | 1200℃ |
温度控制器: | PID自动控制 晶闸管(可控硅)输出功率, 30段可编程控制器 |
最快升降温速率: | 20℃ |
加热区: | 400mm |
恒温区: | 200mm |
温度精度: | ±1 ℃ |
电源: | 单相220V,交流50Hz |
多通道流量计控制系统 | 标准量程: | 100,200 ,500,1000SCCM; (以氮气标定,除以上标准外量程可选) |
准确度: | ±1.5% |
工作压差范围: | 0.1~0.5 MPa |
最大压力: | 3MPa |
接头类型: | Φ6双卡套不锈钢接头 |
高真空系统 | 泵体积流量N2: | 33 L/S |
压缩比: | ≥1011mbar |
实验真空值: | 10-5mbar |
功率消耗: | 140W |
启动时间: | 2min |
电源要求: | 185-265VAC |
射频电源 | 信号频率: | 13.56MHz±0.005%W |
功率输出范围: | 0-500W |
最大反射功率: | 100W |