一、应用领域：

CVD（D）系列真空气氛管式炉专门设计用于中温CVD工艺。如石墨烯的研制、ZnO纳米结构的可控生长、氮化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器（MLCC）气氛烧结等等。窑炉采用氧化铝纤维制品隔热、保温，进口电阻丝加热，优质气炼石英管炉膛,气体采用浮子流量计控制。

二、技术参数：

 设备型号： CVD(D)-09/30/1

最高温度：1150℃

工作温度：RT～1100℃

加热有效容积：Φ90（外径）×300mm

炉管实际尺寸：Φ90（外径）×1450mm （高纯气炼石英管）

炉膛材料： 氧化铝、高铝纤维制品

控制温区点数： 1支K分度热偶

控温精度：±1℃，日本进口40段程序智能温度控制仪，PID参数自整定超温、欠温、断偶报警保护。

加热元件：FEC陶瓷纤维加热器，进口KTL发热丝

建议升温速率：3℃～5℃/min；炉体表面温升： ≤35℃

外形尺寸： 约1500mm×1500mm×650mm（L×H×D）