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         深圳半导体设备既具有MOSFET器件输入阻抗高响应速度快热稳定性好和驱动电路，又有微安级的漏电流，基本上不消耗功率等优点。又具有双极型器件通态电压低耐压高和输出电流大的优点，其频率特性介于MOS-FET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位IGBT管的开通和关断是由栅极电压来控制IGBT管的。当栅极加正电压时，OSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT管导通，此时高耐压的IGBT管也具有低的通态压降在栅极上加负电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT管即关断IGBT管与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极发射极间施加十几伏的直流电压，只有微安级的漏电流，基本上不消耗功率，显示了输入阻抗大的优点。它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。

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半导体：　
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BSBY  网络营销：深圳市国王科技有限公司成立于2005年，是一家专业化电子元器件代理、分销企业，是多家国外著名厂商在中国的授权分销商及合作伙伴。公司始终本着“诚信”、“远见”、“超越”、“共赢”的经营理念，取得了业界的一致认可。