特点：

SYP9435的P-沟道逻辑增强模式功率场效应晶体管都采用高细胞 密度，DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合，限度地减少通态电阻。这些器件特别适合于低电压应用，笔记本电脑的电源管理和其他电池供电电路中的高边切换。

应用：

1、电源管理笔记簿
2、便携式设备
3、电池供电系统
4、DC / DC转换器
5、负载开关
6、LCD显示变频器

详情：

-30V/-5.7A，RDS（ON）=60MΩ@ VGS = - 10V
-30V/-5.0A，RDS（ON）=70mΩ@ VGS = - 6V
-30V/-4.4A，RDS（ON）=80mΩ@ VGS=-4.5V
超高密度电池设计极低
RDS（ON）
卓越的导通电阻和DC
电流能力
SOP - 8P封装设计