•  场效应管 MOSFET N沟道 600V 400mA SOT223
•  晶体管极性: N沟道
•  电流, Id 连续: 500mA
•  电压, Vds : 600V
•  在电阻RDS（上）: 8ohm
•  电压 @ Rds测量: 10V
•  阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
•  功耗, Pd: 3.3W
•  工作温度范围: -55°C 到 +150°C
•  封装类型: SOT-223
•  针脚数: 3
•  SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
•  封装类型: SOT-223
•  晶体管类型: 功率MOSFET
•  漏极电流, Id 值: 400mA
•  电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
•  电压, Vds 典型值: 600V
•  电压, Vgs 最高: 30V
•  表面安装器件: SMD

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