产品型号:NTMD4N03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极导通电阻rDS(on)(mΩ):60漏极电流Id(on)(A):4通道极性:N封装/温度(℃):SOIC-8/-55~150描述:30V,4A,N沟道双MOSFET 进口IC芯片 原装现货 ！！
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