特点
•变频损耗：10分贝
•LO/ IF隔离：45分贝
•LO / RF隔离：40分贝
•IP3（输入）：+17 dBm的
 典型应用
•基站
•电缆调制解调器
•便携式无线

 功能框图

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概述
HMC207AS8E是一个微型8引脚塑料表面贴装小外形集成电路（SOIC）封装的双平衡混频器。这种被动MMIC混频器建造GaAs肖特基二极管和芯片上的新型平面变压器巴伦。该设备可以被用作上变频器，下变频器，双相调制器（反）调制器或相位比较器。一贯MMIC性能将提高系统的运行，并确保合规性。 LO抑制高45至50分贝产量优异的载波抑制调制器应用。