高压电容是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。

　　高压电容器是电容量和介质损耗的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%薄膜电容的来说是可以忽略不计的。其典型的容量容量：0.2p-100uF  10V-5000V 0.2Pf--10Uf。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

　　封 装 DC=50V DC=100V

　　0603 0.5---10000pF 0.5---8200pF

　　1206 0.5---12000pF 0.5---18000pF

　　1208 560---56000pF 560---27000pF

　　2220 1000pF---0.33μF 1000pF---0.18μF

高压电容器适合用于滤波，回流焊，以及旁路电容。