晶体管NDC7002N

基本参数：

FET型：2个N沟道（双）

FET特点：逻辑电平门

开态Rds（）@Id,Vgs@25°C：2欧姆@510mA,10V

漏极至源极电压(Vdss)：50V

电流-连续漏极(Id)@25°C：510mA

Id时的Vgs(th)（）：2.5V@250μA

闸电荷(Qg)@Vgs：1nC@10V

在Vds时的输入电容(Ciss)：20pF@25V

功率-：700mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-SSOT,SuperSOT?-6

供应商设备封装：6-SSOT

包装：带卷(TR)

其它名称：NDC7002NTR

RoHS：是
配置：Dual
晶体管极性：N-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：2Ohms
汲极/源极击穿电压：50V
闸/源击穿电压：20V
漏极连续电流：0.51A

功率耗散：0.96W
工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT