mobile sdram 与一般的sdram比较

更适合移动、手持设备使用；

电源电压范围：
1.8V

封装不同：小封装 BGA

没有一般SDRAM速度快，目前最大可达到100多兆；

省电设计：TCSR:Temperature Compensated Self Refresh

PASR：Partial Array Self Refresh

DS：Driver Strength

初试化时需要设置MOBILE SD的MR和EMR两个寄存器。

FLASH的模式设置为异步还是同步，要看CPU是否支持，系统是否需要用FLASH的同步模式；同步模式的设置是需要驱动来做的。