(一)技术参数:
1、电源:AC220V,50/60Hz;
2、额定功率:7kW;
3、炉膛尺寸:180×200mm;
4、加热元件:Si-Mo硅钼棒
5、额定温度:1600℃,温控精度:±1℃,
升温速率:10℃/min;
6、报警保护:上、下限,正、负偏差,断偶等报警;
(二)产品特色:
本设备适用于材料学相关专业的教学和科研实验,由温控系统、井式炉、真空系统、供气系统、水冷系统五部分构成,可在真空或气氛环境下用高温熔融生长法制备各种氧化物、非氧化物晶体材料,以及对多晶体样品进行烧结、热处理等。
1、智能AI控温,具备50段程序编排功能,节能高效益;
2、特殊的炉膛保温材料,炉膛温度分布均匀,保温性能优异;
3、高温控制范围,100~1600℃;
4、保护气氛的入口也可作为其它必要气体的入口;
5、真空密封部件由制冷循环水冷却,避免长流水费水扰民。