低躁声: NF典型值为 2dB              f =1GHz、Vce=5V、Ic=5mA

增益带宽乘积: fT典型值为 6GHz         f =1GHz、Vce=5V、Ic=30mA

**极限工作条件范围 (T=25℃)：

 基集电极极击穿电压 VCBO25V    集电极发射极击穿电压VCEO 12V     发射极基极击穿电压 VEBO  2.5 V     集电极电流IC 50 mA   功耗PC0.2W   结温度Tj 150 ℃     存储温度 Tstg -65 ~ +150 ℃

**HFE规格

标号G       HFE  50-100

标号 R      HFE  80-150

标号 S      HFE 125-250

**封装形式 SOT-23

**包装基数 3000/盘