1. GENERAL DESCRIPTION 

W9812G6JH is a high-speed synchronous dynamic random access memory (SDRAM), organized as 

2M words
× 4 banks
× 16 bits. W9812G6JH delivers a data bandwidth of up to 200M words per 

second. For different application, W9812G6JH is sorted into the following speed grades: -5/-6/-6I/-6A 

and -75. The -5 is compliant to the 200MHz/CL3 specification. The -6/-6I/-6A is compliant to the 

166MHz/CL3 specification (the -6I industrial grade, -6A automotive grade which is guaranteed to 

support -40°C ~ 85°C). The -75 is compliant to the 133MHz/CL3 specification. 

Accesses to the SDRAM are burst oriented.
Consecutive memory location in one page can be 

accessed at a burst length of 1, 2, 4, 8 or full page when a bank and row is selected by an ACTIVE 

command. Column addresses are automatically generated by the SDRAM internal counter in burst 

operation. Random column read is also possible
by providing its address at each clock cycle. The 

multiple bank nature enables interleaving among internal banks to hide the precharging time. 

By having a programmable Mode Register, the system can change
burst length, latency cycle, 

interleave or sequential burst to maximize its performance. W9812G6JH is ideal for main memory in 

high performance applications. 

2. FEATURES 

• 3.3V ± 0.3V Power Supply 

• Up to 200 MHz Clock Frequency 

• 2,097,152 Words × 4 banks × 16 bits organization 

• Self Refresh Mode 

• CAS Latency: 2 and 3 

• Burst Length: 1, 2, 4, 8 and full page 

• Burst Read, Single Writes Mode 

• Byte Data Controlled by LDQM, UDQM 

• Auto-precharge and Controlled Precharge 

• 4K Refresh cycles / 64 mS 

• Interface: LVTTL 

• Packaged in TSOP II 54-pin, 400 mil using Lead free materials with RoHS compliant