• 品牌/型号：AOS美国万代/AOZ1021AI
• 材料：ALGaAS铝镓砷
• 开启电压：0（V）
• 夹断电压：0（V）
• 跨导：0（μS）
• 极间电容：0（pF）
• 低频噪声系数：0（dB）
• 最大漏极电流：0（mA）
• 最大耗散功率：0（mW）
• 沟道类型：P沟道
• 导电方式：增强型
• 种类：绝缘栅MOSFET
• 用途：A/宽频带放大
• 封装外形：CER-DIP/陶瓷直插

深圳市富昌芯科技有限公司

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