深圳华本天成优质供应 SI2301 P沟道场效应管 原装质量稳定 价廉实在
SI2301是二三级管的一种，属于P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.MEM2301适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路等等.
主要参数
晶体管类型 ： P沟道MOSFET
最大功耗PD ： 1.25W
栅极门限电压VGS ： 2.5V（典型值）
漏源电压VDS ：－20V（极限值）
漏极电流ID：TA=25°时：-2.3A，TA=70°时：-1.5A
通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）
栅极漏电流IGSS：±100nA
结温：55℃to+150℃
封装：SOT-23(TO-236)
公司名称：深圳市福田区华本天成电子产品批发行
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