产品详细参数：
20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N-沟道增强型MOS
VDS= 20V
RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38mΩ
RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.2A = 30mΩ
Features特性
Advanced trench process technology高级的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计
High Power and Current handing capability大功率、大电流
Ideal for Li ion battery pack applications理想的锂电池应用
关于永吉茂：
深圳市永吉茂科技有限公司，专营低压MOS贴片。原厂原装，台产价格，国际品质。
SOT-23封装系列：2300 2301 2302 2312 3400 3401 3415 3416等等
SOP-8封装系列：9926 4946 4953 4410 4430 4407 4501等等
DC-DC系列：1500 1510 1503 1504 1512等
可替代萬代仙童威士等国际知名品牌
欢迎来电或在线咨询洽谈！！！
联系人：王小恬 热线：0755-83742865-816 18603019561
QQ:2339068858传真：0755-83742865-806
