AON2801L 双MOS管 P沟道 -20V -3A SOT-163 负载开关
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
中国 深圳
产品属性
图文详情
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品牌/型号
AOS/AON2801L
沟道类型
双P沟道
导电方式
增强型
品牌
AOS
型号
AON2801L
封装外形
SMDSO/表面封装
AON2801L 双MOS管 P沟道 -20V -3A SOT-163 负载开关
| 型号 | AON2801L |
| 丝印/打字/标记/代码/印记 | 2801 |
| Marking Code | 2801 |
| 厂家 | AOS |
| 一级分类 | 场效应管FET |
| 二级分类 | 复合场效应管 |
| 三级分类 | MOSFET 双P沟道 |
| 三级分类 | MOSFET Dual P-Channel |
| 最大源漏极电压 | -20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) | 8 |
| 最大漏极电流Id | -3A |
| 源漏极导通电阻 | 160m?@ VGS = -1.8V,ID = -1.5A |
| 开启电压 | -0.3~-1V |
| 耗散功率 | 1.5W |
| 封装 | SOT-163 |
| Description & Applications | Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AON2801/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AON2801 and AON2801L are electrically identical. -RoHS Compliant -AON2801L is Halogen Free |
| 描述与应用 | 双P沟道增强型场效应晶体管 概述 AON2801/ L，采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压可低至1.8V。这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用。 AON2801和AON2801L是电动相同。 符合RoHS标准 AON2801L是无卤 |
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