制冷型光电探测器
特点:
自主封装
可封装InGaAs雪崩光电探测器也可封装SI雪崩光电探测器
带尾纤输出
应用:
传感
测量
测距
环境恶劣的工作场所
光电特性:
参 数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
响应光谱(nm)(InGaAs光电探测器) | 1000 | | 1700 |
响应光谱(nm)(SI光电探测器) | 400 | | 1100 |
响应度(A/W) | λ = 1300nm(InGaAs光电探测器) | | 8 | |
λ = 850nm(SI光电探测器) | | 60 | |
工作电压(V) | InGaAs光电探测器 | 40 | | 60 |
SI光电探测器 | 120 | | 200 |
TEC工作电压(V) | | 3 | 5 |
TEC工作电流(A) | 0 | | 2 |
工作温度(℃) | -40 | | 70 |
带宽(-3dB)(加了前置放大后) | | 200MHZ | |
封装形式 | | 蝶形8PIN | |
热敏电阻类型 | | NTC10K/25℃ | |
是否加前置放大 | | 可选择 | |