2英寸 半导体级高纯度11N SIO2硅片 氧化层厚度200-500nm
|
产品尺寸 | 2英寸二氧化硅抛光硅片 （SIO2） |
生长方式 | 直拉单晶（CZ） 热氧化制备 |
直径和公差mm | 50.8±0.3mm |
型号/掺杂类型 | N型(掺磷) P型（掺硼） |
晶向 | <111>\<100>\<110> |
电阻率 | 0.001-50(Ω·cm) 可按照客户要求定制不同电阻率范围 |
平整度TIR | <3μm | 发票 | 可提供机打发票 |
翘曲度TTV | <10μm |
弯曲的BOW | <10μm |
粗糙度Ra | <0.5nm |
颗粒度 pewaferr | < 10 (for size > 0.3μm) |
| 包装方式 | 10片封装、25片封装 超洁净无尘铝箔封装 每片价格130元 |
现有库存厚度 纳米(nm) | 300纳米130元 |
| 用途 | 用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体光刻 |
| 支付方式 | 公对公转账、支付宝付款、货到付款、银行汇款 13735050004 QQ 17243284 |
| 加工定制 | 加工定制周期1-3周不等，详情请于公司联系. |
| 快递投送 | 申通：江浙沪7元 （到达时间1-2天） 其他地区12元（到达时间3-4天） 顺丰：江浙沪12元（到达时间1天） 其他地区22元（到达时间1-2天） 香港、台湾35元 当日订单当天发出，如有缺货我们会及时通知买家. |
