磁阻传感器
一维、二维磁阻微电路芯片(HMC1001、HMC1002）
HMC1001是一维磁阻微电路，是一个单边封装（SIP）的磁场传感器，感应与管脚方向
平行的磁场。
HMC1002 是两维磁阻微电路，是封装在小型集成电路封装（SOIC）的双磁场传感器。
两个传感器的敏感方向互相垂直。传感器A感应与外封装长边方向平行的磁场，传感器
B 感应与外封装长边方向垂直且与表面平行的磁场。
在外磁场的作用下，磁阻的变化引起输出电压（OUT＋和 OUT-）的变化，并直接表示
磁场的强度。由于器件本身不需聚磁器，所以不会导致迟滞和非重复性。芯片内置有霍
尼韦尔专利的电流带，不需要外部线圈。
传感由四个800-900 欧姆的磁阻臂组成惠斯通电桥，在± 2Oe 的范围内具有灵敏度为
2.6mV/V/Oe 的线性输出，电桥的噪声密度在1Hz 以上为25nV/Hz.。传感器的工作电压
为0 — 10V。电桥输出的差分放大受桥路的失调电压影响。当工作电压为8V 时，无外
磁场作用下的失调电压通常为-10 — 25mV。
除了磁阻电桥电路之外，传感器内有有一个磁耦合电流带可进行多种模式的操作。磁场
偏置电流带（OFFSET+ 和OFFSET-）上每通过50mA 的电流。相当于在与敏感轴交叉
的方向上提供1Oe的磁场。另一种用法是在偏置电流带上提供反馈信号电流，传感器工
作在闭环模式下。