我公司生产各种陶瓷电容，质量上乘，价格合理，欢迎广大客户浏览公司网站，来电垂询！
瓷介电容器的分类一般分为类 1类：温度补偿电容器 温度补偿电容器主要由钛酸盐组成，具有较低的介电常数，低损耗、高稳定性、电容量随温度变化近似线性，这种电容器主要使用于谐振回路和其它要求高Q值和高稳定性的电路。 使用温度范围：-30℃～85℃ 电容量：在测试频率(1MHz)、测试电压(1V)、测试温度(25℃±2℃)下、不超过规定误差要求 额定工作电压：25V、50V、100V、250V、500VDC 耐压：2.5倍工作电压 绝缘电阻：在25℃,额定工作电压下，充电60秒，IR≥10000MΩ 2类：高介质电常数电容器 高介电常数器主要以钛酸钡为基而制成，此类电容器容量大、体积小、损耗低，在电路中作隔直流，旁路耦合之用。 使用温度范围：-30℃～+85℃ / +10℃～+85℃ 电容量：在测试频率(1KHz) 、测试电压(1V)、测试温度(25℃±2℃)下、不超过规定误差要求 额定工作电压：25V、50V、100V、250V、500VDC 耐压：2.5倍工作电压 绝缘电阻：在25℃，额定工作电压下，充电60秒，IR≥10000MΩ 3类：半导体电容器 圆片型半导体电容器具有较高介电常数，电容器体积更小，电容量更大，表面层和晶界层之分。 使用温度范围：-30℃～+85℃ 电容量：在测试频率(1KHz) 、测试电压(1V)、测试温度(25℃±2℃)下、不超过规定误差要求 额定工作电压：16V、25V、50V、100VDC 耐压：2.5倍工作电压 绝缘电阻：在25℃，额定工作电压下，充电60秒， 16V IR≥100MΩ 25V、50V、100V IR≥1000MΩ
