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瓷介电容器的分类一般分为类
1类：温度补偿电容器。温度补偿电容器主要由钛酸盐组成，具有较低的介电常数，低损耗、高稳定性、电容量随温度变化近似线性，这种电容器主要使用于谐振回路和其它要求高Q值和高稳定性的电路。 使用温度范围：-30℃～85℃。电容量：在测试频率(1MHz)、测试电压(1V)、测试温度(25℃±2℃)下，不超过规定误差要求。额定工作电压：25V、50V、100V、250V、500VDC 耐压：2.5倍工作电压。 绝缘电阻：在25℃,额定工作电压下，充电60秒，IR≥10000MΩ
2类：高介质电常数电容器。高介电常数器主要以钛酸钡为基而制成，此类电容器容量大、体积小、损耗低，在电路中作隔直流，旁路耦合之用。 使用温度范围：-30℃～+85℃ / +10℃～+85℃。电容量：在测试频率(1KHz) 、测试电压(1V)、测试温度(25℃±2℃)下，不超过规定误差要求。额定工作电压：25V、50V、100V、250V、500VDC。 耐压：2.5倍工作电压。 绝缘电阻：在25℃，额定工作电压下，充电60秒，IR≥10000MΩ
3类：半导体电容器。圆片型半导体电容器具有较高介电常数，电容器体积更小，电容量更大，表面层和晶界层之分。 使用温度范围：-30℃～+85℃。电容量：在测试频率(1KHz) 、测试电压(1V)、测试温度(25℃±2℃)下，不超过规定误差要求。额定工作电压：16V、25V、50V、100VDC。耐压：2.5倍工作电压。 绝缘电阻：在25℃，额定工作电压下，充电60秒， 16V ，IR≥100MΩ ；25V、50V、100V ，IR≥1000MΩ
