类别| 分立半导体产品 |
家庭| FET - 单 |
系列| HEXFET® |
FET 类型| MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能| 标准 |
漏源极电压 (Vdss)| 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)| 9.4A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)| 210 毫欧 @ 5.6A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)| 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)| 25nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)| 330pF @ 25V |
功率 - 最大值| 48W |
安装类型| 表面贴装 |
封装/外壳| TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装| D-Pak |
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