晶体管极性:N

漏极电流, Id 值:11A

电压, Vds :600V

开态电阻, Rds(on):0.32ohm

电压 @ Rds测量:10V

电压, Vgs 最高:30V

功耗:125W

工作温度范围:-55oC to +150oC

封装类型:D2-PAK

SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)

功率, Pd:125W

封装类型:D2-PAK

封装类型, 替代:D2-PAK

晶体管类型:MOSFET

电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

电压, Vds 典型值:600V

电流, Id 连续:11A

电流, Idm 脉冲:33A

表面安装器件:表面安装

阈值电压, Vgs th 典型值:5V

SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate