以超高纯石英砂为原料,用真空电弧法熔制的石英坩埚是拉制大直径半导体和太阳能用单晶硅、发展大规模集成电路及太阳能电池必不可少的基础材料。它具有高纯度、耐温性强、尺寸大、精度高、保温性好、节约能源、质量稳定等优点。我公司生产的石英坩埚采用进口超高纯石英砂作原料,利用国际先进的电弧熔融工艺制作而成,保证产品的纯净度。
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坩 埚 材 料: 电弧石英坩埚的原料选用优质超高纯石英砂,其二氧化硅含量在99. 9995 %以上。
产 品 规 格 : Φ18″~Φ24″
坩埚结构特点: 电弧石英坩埚采用独特的电弧真空熔制方法制造而成,在坩埚的内表面形成厚度约为2~3.5mm的透明石英玻璃层,内部采用喷涂处理,因此在进行单晶硅的拉制过程中可有效抑制坩埚体内气泡的逸出,阻止单晶硅微缺陷的产生。用电弧法制的半导体半透明石英坩埚是拉制大直径单晶硅,发展大规模集成电路必不可少的基础材料。当今,世界半导体工业发达国家已用此坩埚取代了小的透明石英坩埚。他具有高纯度、耐温性强、尺寸大精度高、保温性好、节约能源、质量稳定等优点。
纯度的化学分析:
型号 | Al | Fe | Ca | Cu | K | Na | Li | B | OH |
DHS | 20 | 1 | 1.5 | 0.1 | 3 | 3 | 3 | 0.3 | 30 |
DHS-A | 15 | 0.3 | 0.6 | 0.05 | 0.7 | 1.0 | 0.7 | <0.1 | 30 |
DHS-B | 8 | 0.2 | 0.6 | 0.02 | 0.3 | 0.9 | 0.2 | <0.05 | 30 |
规格尺寸:
坩埚尺寸 | 外径D | 高度H | 厚度 | R* | r* |
t1 | t2 | t3 |
8" | | 153±3 | 5.5±1.5 | 3 | 8.5 | 305 | 30 |
10" | 254±2 | 178±3 | 6.0±1.5 | 3.5 | 9 | 305 | 70 |
12" | 305±2 | 228±3 | 6.5±1.5 | 4 | 9.5 | 305 | 80 |
14" | 355±2 | 254±3 | 7.5±1.5 | 5 | 10.5 | 400 | 90 |
16" | 404±2 | 305±3 | 8.5±1.5 | 6 | 11.5 | 400 | 90 |
18" | 457±2 | 355±3 | 8.5±1.5 | 6 | 11.5 | 500 | 120 |
20" | 508±4 | 381±3 | 10±3 | 6 | 11.0 | 500 | 120 |
22" | 558±4.5 | 381±3 | 10±3 | 7 | 11.0 | 558 | 89 |
24" | 610±4.5 | 381±3 | 11±2 | 7±1 | 11.0 | 610 | 89 |