Cree是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)晶片及RF通信设备的供应商。典型应用包括
l 双通道私人电台
l 宽带放大器
l 蜂窝基础设施
l 测试仪器
l 适于OFDM、W CDMA、Edge、CDMA波形的A类、AB类线性放大器
l Cree RF器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅(SiC)材料。
SiC具备的固有优势使得宽带放大器能够用于UHF、L频段和S频段应用。这些特性包括
l 高导热性
l 高击穿电场
l 高饱和电子漂移速度
l 高功率密度（每单位栅范围功率）
这些特点使得GaN HEMT成为多倍频程应用中功率FET的理想之选，可用于十倍频程带宽功率放大器。
深圳市立维创展科技有限公司与Cree原厂直接签约代理销售其全系列射频通信用元器件，可提供COC文件和原厂提供的一切技术与服务支持。一手货源，货期与价格独具优势。
代理CREE氮化镓MMIC功率 放大器CMPA0060002F 2W 20-6000MHz
产品外观：
产品描述：
Cree的CMPA0060002F是一个氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）基于单片微波集成电路（MMIC）。GaN具有优异的性能相比，硅或砷化镓，包括更高的击穿电压，高饱和电子漂移速度，高的导热系数。GaN HEMT器件还提供了更大的功率密度和更宽的带宽相比，Si和GaAs晶体管。这MMIC采用了分布式放大器（行波）的设计方法，使极宽的带宽，以实现螺旋式的包，钨铜散热片占用空间小。
性能特点：
l 17 dB小信号增益
l 3 W典型PSAT
l 运行在高达28 V
l 高击穿电压
l 高温作业
l 0.5×0.5产品总大小
应用范围：
l 超宽带放大器
l 测试仪表
l EMC放大器驱动
其他参数：
部分型号如下：
CGH40006P
CGH40006S
CGH40010F/CGH40010p
CGH40025F/CGH40025p
CGH40035F
CGH40045F
CGH40090PP
CGH40120F
CGH40180PP
CGH55015F2
CGH55030F2
CGHV27200-TB
CGHV27100-TB
CGHV22200-TB
CGHV22200F
CGHV27200F
CGHV22100F
CGHV27100F
CMPA5585025F
CMPA0060002F
CMPA0060025F
CMPA2560025F
更多信息请联系：
电话：0755-83050806 15013510069 / 传真;0755-83035176
Q Q：1912856821 / 邮箱：sales809@leadwayic.com.cn
更多详情请见：http://leadwayicsz.cn.1688.com/
