代理CREE 120W氮化镓（GaN）射频功率晶体管HEMT CGH40120F
Cree是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)晶片及RF通信设备的供应商。
深圳市立维创展科技有限公司是其代理商。
典型应用包括
l 双通道私人电台
l 宽带放大器
l 蜂窝基础设施
l 测试仪器
l 适于OFDM、W CDMA、Edge、CDMA波形的A类、AB类线性放大器
l Cree RF器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅(SiC)材料。
SiC具备的固有优势使得宽带放大器能够用于UHF、L频段和S频段应用。这些特性包括
l 高导热性
l 高击穿电场
l 高饱和电子漂移速度
l 高功率密度（每单位栅范围功率）
这些特点使得GaN HEMT成为多倍频程应用中功率FET的理想之选，可用于十倍频程带宽功率放大器。
CGH40120F
产品外观：
基本参数：
l 高达2.5 GHz操作
l 20 dB小信号增益在1.0 GHz
l 15 dB小信号增益在2.0 GHz
l 120 W典型P税务总局
l 70％的效率在P sat
l 28 V操作
产品应用：
l 雷达
l 带宽放大器
l 数据链路和战术数据链
其他参数：
产品描述：
Cree的CGH40120F是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGH40120F，从28伏铁路经营，提供了一个通用的宽带解决方案的各种射频和微波应用。GaN HEMT器件提供高效率，高增益和宽的带宽能力CGH40120F理想的线性放大电路和压缩。 该晶体管提供的凸缘包中。
深圳市立维创展科技有限公司与Cree原厂直接签约代理销售其全系列射频通信用元器件，可提供COC文件和原厂提供的一切技术与服务支持。一手货源，货期与价格独具优势。
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